ООО "Элемент-Преобразователь"
1963
Начало строительства завода «Преобразователь»
1967
Выпущены первые полупроводниковые приборы ВК-2-200, ВКДУ-150
1968
Осваивается производство диодных приборов с лавинными характеристиками на токи 200А
1969
Начато серийное производство малогабаритных симисторов с двуполярным управлением и повышенными динамическими характеристиками
1971
Начато совершенствование конструкции и технологии производства диодов, тиристоров и симисторов малоамперных серий – на токи от 10 до 80 А.
1973
Разработана серия тиристоров Т10 и Т11 на токи 10-80 А и напряжение до 2,2кВ. Внедрены в производство симисторы на токи 10-80А и напряжение переключения 1500В
1975
Разработана серия оптронных тиристоров на токи от 10 до 320 А.
1975
Освоены производством тиристоры серии Т10, Т11 на токи 10-80 А с напряжением переключения до 1200 и 2000В;
1977
Создана серия диодов типа ВЛ10 и В10 с лавинными и не лавинными характеристиками на токи от 10 до 80 А.
1979
Освоено производство серии штыревых тиристоров на токи 10-12,5А и напряжение 100-2000В
1982
Освоено производство серии штыревых оптотиристоров на токи 25-80А и напряжение 200-1200В
1983
Освоено производство серии штыревых симметричных тиристоров на токи 10-80А и напряжение 100-1200В
1984
Освоено производство серии симметричных тиристоров в герметичном пластиковом корпусе на токи 10-16А и напряжение 100-1000В
1986
Освоено производство серии тиристоров в герметичном пластиковом корпусе на токи 10-12,5А и напряжение 100-1000В
1988
Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусе 2 модификации на токи 25-80А и напряжение 400-1200В
1988
Освоено производство запираемых тиристоров и проводящих в обратном направлении на токи 40-320А и напряжение 400-1400В
1989
Освоено производство серии штыревых оптронных симметричных тиристоров на токи 25-125А и напряжение 200-1200В
1989
Освоено производство фототиристоров на токи 25А и напряжение 600-1000В
1991
Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусе 4 модификации на токи 25-100А и напряжение 200-1600В
1991
Асимметричныйм быстродействующий тиристор на токи 16А и напряжение 600-1400В
1992
Освоено производство серии штыревых частотных диодов на токи 25-100А и напряжение 200-2400В
1994
Освоено производство частотных диодов в герметичном пластиковом корпусе на токи 10-16А и напряжение 200-1200В
1997
Освоено производство серии тиристоров в таблеточных корпусах на токи 200-2500А и напряжение 200-1800В
1997
Освоено производство серии штыревых оптотиристоров на токи 10-100А и напряжение 100-1800В
1997
Освоено производство серии оптронных симметричных тиристоров в пластиковом корпусе на токи 10-80А и напряжение 100-1200В
1998
Освоено производство серии оптронных тиристоров в пластиковом корпусе на токи 10-80А и напряжение 100-1200В
1998
Освоено производство диодов под запресовку на токи 20-32А и напряжение 100-400В
1998
цех полупроводниковых приборов выделился в отдельное предприятие «Элемент-Преобразователь»
2000
Разработан шунтирующий диодный блок для устранения самоиндукции в системах электрооборудования зерноуборочных комбайнов
2001
Освоено производство серии модулей с мостовой схемой на токи 10-32А и напряжение 100-1200В
2001
Освоено производство серии диодов в таблеточных корпусах на токи 1600-5000А и напряжение 1200-4400В
2001
Разработан сигнализатор засоренности воздушного фильтра двигателя внутреннего сгорания на токи
2001
Разработан пульт реверса наклонной камеры для зерноуборочных комбайнов на токи
2002
Освоено производство серии частотных диодов в пластиковом корпусе на токи 5-80А и напряжение 200-1200В
2002
Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусах 6, 6.1, 8 модификаций на токи 100-250А и напряжение 200-1800В
2002
Освоено производство серии диодов в пластиковом корпусе на токи 10-100А и напряжение 400-1600В
2002
Освоено производство серии тиристоров в пластиковом корпусе на токи 6,3-125А и напряжение 200-1200В
2002
Освоено производство серии тиристоров в таблеточных корпусах на токи 200-4000А и напряжение 200-4400В
2002
Освоено производство серии тиристоров в таблеточных корпусах на токи 6,3-100А и напряжение 200-1600В
2003
Освоено производство потенциальных и безпотенциальных симисторных модулей в корпусе 4 модификации на токи 50-160А и напряжение 200-1200В
2003
Освоено производство модулей со встречнопараллельной схемой на токи 80-125А и напряжение 400-1200В
2003
Освоено производство симисторных модулей в корпусах 4, 7, 8 модификаций на токи 10-160А и напряжение 200-1200В
2003
Освоено производство гибридных симисторных модулей в корпусах 4, 7, 8, 11, 15 модификаций на токи 10-250А и напряжение 400-1200В
2004
Разработана серия охладителей для полупроводниковых приборов оразличной конфигурации
2004
Освоено производство серий диодов и диодов лавинных в таблеточных корпусах на токи 320-4000А и напряжение 400-4400В
2004
Освоено производство серии штыревых быстровосстанавливающихся диодов на токи 5-100А и напряжение 200-2400В
2005
Освоено производство серии штыревых симметричных тиристоров на токи 100-1000А и напряжение 200-1800В
2006
Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусе 5 модификации на токи 25-80А и напряжение 200-1600В
2006
Освоено производство серий диодных и тиристорных модулей в корпусах 9, 10 модификаций на токи 200-320А и напряжение 400-2800В
2006
Освоено производство серии штыревых диодов на токи 80-500А и напряжение 400-2800В
2006
Освоено производство серии штыревых тиристоров на токи 125-320А и напряжение 600-2000В
2007
Освоено производство серий диодных и тиристорных модулей в корпусах 12, 13, 14 модификаций на токи 500-1250А и напряжение 400-3200В
2007
Освоено производство серии диодных и тиристорных модулей в корпусе 7 модификации на токи 10-25А и напряжение 200-1200В
2007
Освоено производство серии оптронных симметричных тиристоров в пластиковом корпусе на токи 5-80А и напряжение 100-1200В
2007
Освоено производство серии быстродействующих тиристоров в таблеточных корпусах на токи 125-1000А и напряжение 400-1600В
2012
Освоено производство серии быстровосстанавливающихся диодов в таблеточных корпусах на токи 250-400А и напряжение 400-3600В
